红外二阶非线性光学（IR-NLO）晶体材料在资源探测、光电对抗、空间反导、国防通讯等方面有着重要的应用。目前商业化的IR-NLO晶体材料（例如，AgGaQ2（Q=S，Se）和ZnGeP2等）存在多方面性能缺陷，限制了它们的应用范围。因此，设计和合成具有性能优良的新型IR-NLO晶体材料仍是该领域的研究热点和难点。
图1 利用局部等价阴离子取代策略实现从中心(SrGeO3)到非心(SrGeOSe2)的晶体结构转变
图2 综合性能优异的IR-NLO晶体材料HgCuPS4
图3 利用合理的化学取代策略设计合成IR-NLO晶体材料
研究团队单位：福建物质结构研究所