由于氮化硼（BN）薄膜具有高硬度、高热导率、好的化学稳定性和抗离子轰击能力、低负电子亲和势（4.5ev）、良好的电子发射特性等许多优良特性，已成为人们研究和应用的热点。正交晶结构的o-BN（又叫E-BN）,是一种新的BN的超硬结构，带隙宽度为5.5eV，又是一种宽带隙材料，因此象c-BN和w-BN一样，它具有广泛的应用前景。本项目的主要研究内容是依据前期工作的试验数据对o-BN薄膜的生长机理进行较

氮化硼（BN）薄膜具有高硬度、高热导率、好的化学稳定性和抗离子轰击能力、低负电子亲和势（4.5ev）、良好的电子发射特性、低成本和易于均匀成膜等许多优良特性，已成为人们研究和应用的热点。正交晶结构的o-BN作为BN家族中的新相，是和w-BN相似的一种新的BN的超硬结构，带隙宽度为5.5eV，说明它是一种宽带隙半导体材料，因此作为氮化硼的一种高压相结构，象c-BN和w-BN一样，它在将来的应用价值将是无法估量的。由于人类对新材料的需求日益增长，对o-BN的研究也越来越受到人们的重视。该课题采用RF等离子体增强脉冲激光沉积方法制备了高质量的o-BN薄膜，并对o-BN薄膜生长过程中的沉积参数、RF射频和激光、o-BN薄膜中的内应力等因素对薄膜生长的影响进行了研究，在此基础上提出了o-BN薄膜的层状生长理论。所得结论对o-BN薄膜的制备具有理论指导意义。