中文摘要
本申请旨在探索亚稳结构I-III-VI2族硫属化合物半导体材料的合成新途径，着重研究I-III-VI2亚稳结构在相对温和反应条件下的形成、相稳定性，以期解决I-III-VI2族亚稳结构硫属化合物的合成方面的问题。采用水热、溶剂热及其它软化学合成技术，根据不同组成和结构类型的亚稳结构化合物，选择合适的反应路线，研究反应规律，精细调控各种反应参数，实现亚稳态I-III-VI2族硫属化合物半导体材料的有效控制合成。研究亚稳结构材料的光、电性能及其他特殊的物理化学性质，拓展材料新的应用领域，探索新的应用前景。
英文摘要
The aim of this item is exploring new chemistry routes to the I-III-VI2 metastable chalcogenide materials, especially on the formation and stable of the I-III-VI2 metastable structures under the mild reaction conditions, resolving the problems of the synthesis of I-III-VI2 metastable chalcogenides. In detail, using hydrothermal method, solvothermal method and other low-temperature synthesis methods, suitable reaction routes and conditins are selected to synthesize high quality I-III-VI2 metastable chalcogenides with desired compositions and structures. Furthermore, the optical, electric properties of the metastable materials will be researched and the application fields of the materails will be exploited.
结题摘要
本申请旨在探索亚稳结构I-III-VI2族硫属化合物半导体材料的合成新途径，着重研究I-III-VI2亚稳结构在相对温和反应条件下的形成、相稳定性，以期解决I-III-VI2族亚稳结构硫属化合物的合成方面的问题。采用水热、溶剂热及其它软化学合成技术，根据不同组成和结构类型的亚稳结构化合物，选择合适的反应路线，研究反应规律，精细调控各种反应参数，实现亚稳态I-III-VI2族硫属化合物半导体材料的有效控制合成。研究亚稳结构材料的光、电性能及其他特殊的物理化学性质，拓展材料新的应用领域，探索新的应用前景。