中文摘要
银/铜基硫族化合物及银/铜掺杂的非晶态固体电解质材料，在低能耗、高速擦写、不易失性信息存储器件及其它电化学器件上具有潜在的应用前景，可能成为未来高密度存储技术的物质基础。与单一电子/空穴输运类材料相比，这类材料除了涉及到电子/空穴输运外，离子甚至原子的迁移与反应在器件的运作过程中也起到关键的作用，其复杂的物理、化学作用过程涉及到纳米离子学、电子学等交叉领域的研究前沿，器件基本运作机理亟待诠释。随着器件的不断微小化，在纳米甚至原子尺度内理解与控制材料中离子、电子及原子的输运与复合，揭示维度与尺寸效应则是器件集成、微小化的必要科学基础，同时也孕育着丰富的新材料与技术开发机遇。本项目旨在发展此类材料低维有序纳米结构的精确可控制备技术；开展纳米尺度上电子、离子及原子的外场响应测试与物理化学过程分析；为此类纳米材料与结构在高密度信息存储及电化学器件中的应用奠定基础、提供科学依据。
结题摘要
银/铜基硫族化合物及银/铜掺杂的非晶态固体电解质材料，在低能耗、高速擦写、不易失性信息存储器件及其它电化学器件上具有潜在的应用前景，可能成为未来高密度存储技术的物质基础。与单一电子/空穴输运类材料相比，这类材料除了涉及到电子/空穴输运外，离子甚至原子的迁移与反应在器件的运作过程中也起到关键的作用，其复杂的物理、化学作用过程涉及到纳米离子学、电子学等交叉领域的研究前沿，器件基本运作机理亟待诠释。随着器件的不断微小化，在纳米甚至原子尺度内理解与控制材料中离子、电子及原子的输运与复合，揭示维度与尺寸效应则是器件集成、微小化的必要科学基础，同时也孕育着丰富的新材料与技术开发机遇。本项目旨在发展此类材料低维有序纳米结构的精确可控制备技术；开展纳米尺度上电子、离子及原子的外场响应测试与物理化学过程分析；为此类纳米材料与结构在高密度信息存储及电化学器件中的应用奠定基础、提供科学依据。